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pLEDMOS导通电阻及阈值电压的热载流子退化
研究了不同漂移区长度及不同栅场极板长度的厚栅氧化层pLEDMOS器件由热载流子效应导致的导通电阻及阈值电压的退化现象及机理.实验......
期刊
pLEDMOS
热载流子注入
导通电阻
阈值电压
退化
p-type lateral extended drain MOS
hot-carrier-injec
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